[发明专利]锂硫电池隔膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710415506.2 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108987647B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 孔维邦;王佳平;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01M2/14 | 分类号： | H01M2/14;H01M2/16;H01M10/052 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种锂硫电池隔膜的制备方法，包括提供一隔膜基底，该隔膜基底包括一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面；以及在所述第一表面和第二表面中的至少一个表面形成至少一个功能层，所述至少一个功能层的形成方法包括：提供一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管；刻蚀所述碳纳米管层，使所述多个碳纳米管的表面形成均匀且连续的缺陷；以及采用原子层沉积法在所述均匀且连续的缺陷上形成一连续的氧化铪包覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 隔膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锂硫电池隔膜的制备方法，包括以下几个步骤：S1：提供一隔膜基底，该隔膜基底包括一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面；以及S2：在所述第一表面和第二表面中的至少一个表面形成至少一个功能层，所述至少一个功能层的形成方法包括：S21：提供一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管；S22：刻蚀所述碳纳米管层，使所述多个碳纳米管的表面形成均匀且连续的缺陷；以及S23：采用原子层沉积法在所述均匀且连续的缺陷上形成一连续的氧化铪包覆层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710415506.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
