[发明专利]一种钛合金/二硼化锆纳米多层膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201710415937.9 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN107227447B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 董磊;李德军;聂宇尧;时永治 申请(专利权)人: 天津师范大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18;C23C28/00
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人: 朱红星
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种TC4/ZrB2纳米多层膜及其制备方法与应用。它是利用射频磁控溅射技术,首先研究在常温环境下各工艺参数对TC4/ZrB2多层膜性能的影响,找到致硬的主要因素为调制比和调制周期。然后对TC4/ZrB2多层结构进行实验设计并实验,在最佳配比:调制周期30nm,TC4和ZrB2的调制比为1:5,利用ZrB2的周期性插入对TC4内剪切带的阻碍作用,最终得到纳米硬度达22.40 GPa的TC4/ZrB2多层结构薄膜。TC4/ZrB2纳米多膜具有较高硬度、高膜基结合力,低表面粗糙度以及良好高温稳定性的优良综合特性。TC4/ZrB2纳米多膜在航空航天领域以及钛合金制品表面防护等领域中将有重要的应用前景。
搜索关键词: 一种 钛合金 二硼化锆 纳米 多层 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种TC4/ZrB2纳米多层膜,其特征是氩气(Ar2)环境下在Si表面交替存在着TC4和ZrB2层,每周期层厚为30‑35纳米,多层膜的周期为15‑20层,总层厚为600纳米,该纳米多层薄表面粗糙度良好,高温稳定;所述TC4/ZrB2纳米多层膜的制备方法:利用高真空射频磁控溅射系统(MS),基底温度为室温;调制周期30~35nm;调制比1:1~1:5,相互配比作比较实验,用Ar+分别轰击TC4和ZrB2两个靶,同时通入氩气,在单面抛光的Si基底上交替沉积TC4和ZrB2做多层膜,采用机械泵和分子泵,本底真空2.0×10‑4Pa~3.0×10‑4Pa,气压值由电离规管来测量,沉积过程中溅射气体选用纯Ar2,用质量流量控制器控制其流量分别保持在40~45sccm和5~5.5sccm;沉积过程中总的工作气压保持0.5Pa~0.55Pa之间。
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