[发明专利]一种空心微针阵列制造方法有效

专利信息
申请号: 201710416112.9 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN107297020B 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 廖广兰;林建斌;谭先华;史铁林;汤自荣 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: A61M37/00 分类号: A61M37/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 周磊;曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于微纳结构制造工艺领域,并公开了一种空心微针阵列制造方法,包括以下步骤:1)镀金属种子层;2)旋涂负性光刻胶层;3)对负性光刻胶层进行前烘;4)曝光:在掩膜版的上方采用紫外光源对负性光刻胶层进行曝光,则光穿过掩膜版后透入负性光刻胶层,使负性光刻胶层的部分区域发生光固化反应;5)显影:采用显影液对负性光刻胶层进行显影,以去除未发生光固化反应的负性光刻胶;6)电镀结构层,形成微针针壁;7)采用有机溶剂去除负性光刻胶,在基底上获得空心微针阵列结构。本发明由于小尺寸掩膜版图形的光学衍射作用,显影后会在负性光刻胶层上形成上小下大的空洞结构,由此电镀填充得到的金属微针针壁具有很好的结构稳定性。
搜索关键词: 一种 空心 阵列 制造 方法
【主权项】:
1.一种空心微针阵列制造方法,其特征在于,包括以下步骤:1)镀金属种子层:在基底的上表面采用真空镀膜的方式镀一层金属种子层;2)旋涂负性光刻胶层:在金属种子层的上表面旋涂一层负性光刻胶,则形成负性光刻胶层;3)对负性光刻胶层进行前烘;4)曝光:紫外光源向下穿过掩膜版对负性光刻胶层进行曝光,其中,所述掩膜版上的图形为环状遮光图案阵列,所述环状遮光图案阵列具有多个环状遮光图案,每个所述环状遮光图案的外边缘均设有多个凹槽,则光穿过掩膜版后透入负性光刻胶层,使环状遮光图案阵列下方的曝光区域呈现上大下小的结构;5)显影:采用显影液对负性光刻胶层进行显影,以去除环状遮光图案下方未发生光固化反应的负性光刻胶,则在负性光刻胶层上留下多个上小下大的空洞,并且负性光刻胶层空洞处的内壁在对应于环状遮光图案上的凹槽的位置还形成有凸台,此后再将剩余的负性光刻胶层烘干;6)电镀结构层:以步骤1)的金属种子层作为导电层,采用电镀的方法在步骤5)形成的每个空洞内均填满一层金属,则空洞内的金属层形成微针的针管;7)采用有机溶剂去除基底上的负性光刻胶,在基底上获得空心微针阵列结构。
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