[发明专利]单晶硅太阳能板有效
申请号: | 201710418324.0 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107240612B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 李顺利 | 申请(专利权)人: | 界首市七曜新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;C03C3/062;C03C3/078;C08L23/08;C08L1/14;C08L25/06;C08L89/00;C08L67/00;C08L33/08;C08L27/06;C08L61/06;C08L23/20 |
代理公司: | 合肥中博知信知识产权代理有限公司 34142 | 代理人: | 徐俊杰 |
地址: | 236500 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种单晶硅太阳能板,所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成,所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。本发明通过蒸镀一层缓冲层(氮化镓),减少氮化硅与单晶硅之间的晶格失配,提高太阳能电池板芯片的吸光量,同时氮化镓薄层本身就是很好的透光材料,不会影响到太阳光的入射;制得的单晶硅太阳能板光电转换效率可达到26%以上,使用15~20年依然保持较高的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 太阳能 | ||
【主权项】:
1.一种单晶硅太阳能板,所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成,其特征在于,所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层,所述缓冲层为氮化镓层,所述氮化镓层厚度为10~12nm,所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上,所述减反射膜为氮化硅,所述氮化硅厚度为50~70nm;所述钢化玻璃包括以下重量份的原料:二氧化硅30‑50份,珠光粉0.2‑0.6份,氧化锆0.1‑0.3份,碳酸钠5‑8份,硅酸钙2‑4份,银粉0.2‑0.8份,二氧化锰0.3‑0.5份,二氧化钛0.5‑0.8份,氧化铁0.1‑0.3份,氮化镓0.2‑0.5份,氧化锌0.5‑0.8份,氧化镍0.3‑0.7份;所述EVA由以下重量份的原料组成;乙烯20‑30份,醋酸乙烯脂20‑25份,醋酸‑丙酸纤维素1.0‑1.5份,氯化聚乙烯1.2‑1.8份,酪蛋白0.3‑0.5份,发泡聚苯乙烯0.6‑0.8份,聚芳酯1.5‑2.0份,聚丙烯酸丁酯0.2‑0.4份,聚氯乙烯0.6‑1.0份发,酚醛树脂0.3‑0.7份,聚异丁烯0.5‑0.8份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的