[发明专利]增强近红外感光性能的背照式像素单元结构及形成方法有效

专利信息
申请号: 201710419265.9 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN107302008B 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 顾学强;范春晖;奚鹏程 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 吴世华;张磊
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种增强近红外感光性能的背照式像素单元结构及形成方法,通过增加硅衬底的厚度,并在背面的硅衬底中增设背面光电二极管,从而增加了用于光电转换的硅衬底区域的深度,提高了像素单元的近红外感光性能;同时,通过增加背面传输管、背面悬浮漏极以及双深槽隔离结构,使得背面悬浮漏极与正面悬浮漏极、背面传输管与正面传输管分别通过深槽隔离连接在一起,只需在正面传输管上进行时序控制就可以同时控制背面传输管,从而保证了背面光电二极管中的电荷能够顺利传输到正面悬浮漏极,避免了由于硅衬底厚度增加而无法将完成光电转换的电荷从背面光电二极管中传出而造成图像残影和噪声的问题。
搜索关键词: 增强 红外 感光 性能 背照式 像素 单元 结构 形成 方法
【主权项】:
1.一种增强近红外感光性能的背照式像素单元结构,其特征在于,包括:/n硅衬底,其包括设于正面硅衬底中的正面光电二极管、正面悬浮漏极和正面硅衬底上的正面传输管,设于背面硅衬底中的背面光电二极管、背面悬浮漏极和背面硅衬底上的背面传输管,设于硅衬底中并位于像素之间的双深槽隔离结构,以及设于背面硅衬底上并位于像素之间的金属挡光结构;/n设于正面硅衬底上的后道介质层,其设有金属互连布线;/n所述正面光电二极管和背面光电二极管在竖直方向上叠设并相连;所述双深槽隔离结构包括第一深槽隔离和第二深槽隔离,所述第一深槽隔离和第二深槽隔离内部填充有金属;所述背面悬浮漏极通过第一深槽隔离内部填充的金属、金属互连布线与正面悬浮漏极相连,所述背面传输管通过第二深槽隔离内部填充的金属、金属互连布线与正面传输管相连;所述正面悬浮漏极依次连接正面传输管、正面光电二极管,所述背面悬浮漏极依次连接背面传输管、背面光电二极管。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710419265.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top