[发明专利]背照式CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种背照式CMOS图像传感器及其制造方法，通过四张光罩的使用即可形成焊盘等结构，降低了光罩的使用；进一步的，所形成的金属网格与所述焊盘连接，其包括位于所述第一隔离槽的第一金属线、位于所述第二隔离槽的第二金属线及连接所述焊盘、第一金属线和第二金属线的第三金属线，通过所述金属网格能够很好的限定入射的光线，避免出现串扰，提高了背照式CMOS图像传感器的质量。更进一步的，所述焊盘上施加了负压，由此与所述焊盘连接的金属网格上也施加了负压，也即在所述第一隔离槽中形成的第一隔离结构和在所述第二隔离槽中形成的第二隔离结构上施加了负压，通过在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构上施加负压可以抑制噪点和暗电流的产生。

主权项

1.一种背照式CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述背照式CMOS图像传感器的制造方法包括：提供键合在一起的逻辑晶圆和像素晶圆；采用第一张光罩，以在所述像素晶圆的背面形成焊盘区、第一隔离槽和第二隔离槽；形成介质材料层，所述介质材料层覆盖所述焊盘区、所述第一隔离槽、所述第二隔离槽及所述像素晶圆的背面；采用第二张光罩，以在所述焊盘区暴露出金属层；形成金属材料层，所述金属材料层覆盖所述金属层、所述焊盘区、所述第一隔离槽、所述第二隔离槽及所述像素晶圆的背面；采用第三张光罩，以在所述焊盘区形成焊盘，所述焊盘与所述金属层连接；采用第四张光罩，以形成金属网格，所述金属网格与所述焊盘连接，所述金属网格包括位于所述第一隔离槽的第一金属线、位于所述第二隔离槽的第二金属线及连接所述焊盘、所述第一金属线和所述第二金属线的第三金属线。