[发明专利]一种新型ESD保护结构及其实现方法

摘要

本发明公开了一种新型ESD保护结构及其实现方法，该ESD保护结构包括：半导体基体；生成于所述半导体基体中的第一N阱和第二N阱；设置于所述第一N阱中的硅控整流器以及设置于所述第二N阱中的二极管结构，高浓度P型掺杂(28)、高浓度N型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(22)设置于所述第一N阱上部，P型ESD植入层(40)设置于所述高浓度N型掺杂(22)下方，该高浓度N型掺杂(20)浮接，其与该高浓度P型掺杂(28)间隔距离S，该高浓度N型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(22)之间隔离设置，所述高浓度P型掺杂(28)、第一N阱(60)、ESD植入层(40)、高浓度N型掺杂(22)构成该硅控整流器，通过本发明，可增加ESD保护结构回滞效应的维持电压。

主权项

1.一种新型ESD保护结构，其特征在于，该ESD保护结构包括：/n半导体衬底；/n生成于所述半导体衬底中的第一N阱和第二N阱；/n设置于所述第一N阱中的硅控整流器以及设置于所述第二N阱中的二极管结构，第一高浓度P型掺杂(28)、第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)设置于所述第一N阱上部，P型ESD植入层(40)设置于所述第二高浓度N型掺杂(22)下方，该第一高浓度N型掺杂(20)浮接，其与该第一高浓度P型掺杂(28)间隔距离S，所述第一高浓度P型掺杂(28)与所述第一高浓度N型掺杂(20)之间无隔离层，所述第一高浓度N型掺杂(20)与所述第二高浓度N型掺杂(22)间用氧化层(10)隔离，所述第一高浓度P型掺杂(28)的左侧放置氧化层(10)用于隔离其他器件，该第一高浓度N型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)之间隔离设置，所述第一高浓度P型掺杂(28)、第一N阱(60)、ESD植入层(40)、第二高浓度N型掺杂(22)构成该硅控整流器，所述第一高浓度P型掺杂(28)为该新型ESD保护结构的阳极A。/n