[发明专利]一种量子点光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种量子点光电探测器及其制备方法，包括如下步骤：在ITO玻璃衬底上旋涂PMMA光刻胶；光刻胶曝光及微结构图形定义；蒸镀一定厚度的金属薄膜；光刻胶剥离及金属微结构的生成；将制备好的量子点旋涂或喷涂在上述衬底上形成薄膜；继续蒸镀一定厚度的金属形成背底电极，完成器件制备。本发明利用金属微结构的窄带滤波和光场增强功能，对量子点光电响应进行波长调制和增敏，利用量子点薄膜光电效应，使得ITO与背底电极之间的电流发生显著变化。本发明通过选取合适的金属和量子点材料体系，调节金属微结构阵列的结构设计与量子点尺寸，实现高灵敏、可调谐的窄带光电探测器。

主权项

1.一种量子点光电探测器，其特征在于，包括从下至上的ITO玻璃衬底、ITO膜、金属微结构阵列、量子点薄膜和金属电极层；所述量子点薄膜与金属微结构阵列远离光源入射面的一侧相耦合；所述金属微结构尺寸可调，通过调整微结构阵列周期与占空比，对探测器的响应波长进行调制，获得波长选择性；/n所述量子点薄膜材料为硫化铅、硒化铅、硫化镉、硒化镉和氧化锌等在内的胶体量子点，旋涂或喷涂在已生成金属微结构阵列的衬底上形成薄膜；通过选取合适的量子点材料体系以及改变量子点合成时间、温度等条件，调控量子点的峰值吸收波长位置，实现不同波段下的光电响应增强。/n