[发明专利]具有可编程存储器的集成电路及其制造方法

摘要

本发明涉及具有可编程存储器的集成电路及其制造方法，提供制造集成电路的方法及通过该方法所制造的集成电路。在例示性的实施例中，制造集成电路的方法包含在衬底内部形成第一及第二浅沟槽隔离，其中该第一及第二浅沟槽隔离具有初始浅沟槽高度。基部阱区为形成于该衬底中，其中该基部阱区是定位在该第一及第二浅沟槽隔离之间。栅极介电物是形成覆盖在该基部阱区上方，并且浮动栅极是形成覆盖在该栅极介电物上方。初始浅沟槽高度在该浮动栅极形成之后是降低至低于该初始浅沟槽高度的降低的浅沟槽高度。

主权项

1.一种制造集成电路的方法，包括：形成第一浅沟槽隔离及第二浅沟槽隔离在衬底内部，其中，该第一浅沟槽隔离包括初始浅沟槽高度；形成基部阱区于该衬底中，其中，该基部阱区是定位在该第一浅沟槽隔离与该第二浅沟槽隔离之间；形成栅极介电物覆盖在该基部阱区上方并且延伸到该第一浅沟槽隔离和该第二浅沟槽隔离；形成浮动栅极覆盖在该栅极介电物上方，其中，该浮动栅极包括侧表面，且其中，该侧表面的一部分由该第一浅沟槽隔离覆盖而该侧表面的曝露部分曝露；以及在形成该浮动栅极之后，降低该初始浅沟槽高度至低于该初始浅沟槽高度的降低的浅沟槽高度。