[发明专利]一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201710422080.3 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107195687B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 胡合合 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，用以实现超大开态电流的TFT，进而使得应用该TFT的显示面板提高开口率，应用该显示面板的显示装置实现窄边框。本发明提供的一种TFT，包括基板，位于基板之上的源极、位于源极之上的漏极、连接于源极与漏极之间的有源层，以及的栅极，其中，源极与漏极之间设有用于将源极与漏极绝缘的第一绝缘层，有源层与栅极之间设有用于将有源层与栅极绝缘的第二绝缘层，有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，所述栅极包围所述有源层至少一部分侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 及其 制作方法 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管TFT，其特征在于，包括基板，位于所述基板之上的源极、位于所述源极之上的漏极、连接于所述源极与所述漏极之间的有源层，以及栅极，其中，所述源极与所述漏极之间设有用于将所述源极与所述漏极绝缘的第一绝缘层，所述有源层与所述栅极之间设有用于将所述有源层与所述栅极绝缘的第二绝缘层，所述有源层包围所述第一绝缘层的至少一部分侧面，所述栅极包围所述有源层至少一部分侧面；其中，所述第一绝缘层为六面体，所述有源层包围所述六面体的至少两个侧面，所述侧面为所述六面体上除了与所述源极和所述漏极相接触的面之外的面。
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