[发明专利]自我预充电的内存电路有效
| 申请号： | 201710422221.1 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107481757B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | I·阿尔索夫斯基;李晴;赵薇;胡晓莉 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及自我预充电的内存电路，其关于半导体结构，并且尤其关于用于内存的感测电路及使用方法。该内存包括自我参考感测放大器，其经结构化成利用自主预充电启动电路系统以基于一跳脱点而校准其个别预充电，该自主预充电启动电路系统只要已进行或完成感测，便开始预充电各唯一单元上的感测线。 | ||
| 搜索关键词： | 自我 充电 内存 电路 | ||
【主权项】：
一种内存，其包含自我参考感测放大器，其经结构化成利用自主预充电启动电路系统以基于跳脱点而校准其个别预充电，该自主预充电启动电路系统只要已进行或完成感测，便开始预充电各个唯一单元上的感测线。
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