[发明专利]一种富碳g‑C3N4纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710422779.X | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107185579A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 徐光青;范程控;冯强;吕珺;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;C01B3/04;C02F1/30;B82Y40/00;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
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| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种富碳g‑C3N4纳米片及其制备方法，所述的富碳g‑C3N4纳米片为高度分散的纳米片结构，其C/N比在0.82‑0.96之间；制备时以能通过聚合作用生成含三嗪环结构的化合物为原料，采用不同浓度的乙醇水溶液作为碳源，二次热氧化得到富碳g‑C3N4纳米片。本发明的超薄富碳g‑C3N4纳米片较传统方法制备的g‑C3N4，具有较高的碳氮比，高的比表面积和宽的光吸收范围，具有更强的光解水制氢效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 c3n4 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种富碳g‑C3N4纳米片，其特征在于：为高度分散的纳米片结构，其C/N比在0.82‑0.96之间。
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