[发明专利]肖特基器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710422963.4 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109004035A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈茜;蒋建 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种肖特基器件结构及其制造方法，包括：N型外延层，其形成有多个第一沟槽以及位于第一沟槽外围区域的第二沟槽；氧化层及多晶硅，形成于第一沟槽及第二沟槽内；第三沟槽，去除第一沟槽内的部分多晶硅及氧化层而成；金属硅化物，形成于第三沟槽的底部及侧壁；导电材料，填充于第三沟槽内；以及上金属电极结构。本发明可有效增加肖特基区域面积，降低正向导通电压VF；并且利用沟槽结构，降低了漏电流IR；同时在测试和封装打线的金属与下方器件层间增加介质层，以缓冲外界应力的作用，使外来压应力通过介质层分散到整个芯片。本发明的肖特基结从平面结构改为垂直结构，使外加压应力不直接作用到肖特基势垒，可以增大封装工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基器件 多晶硅 介质层 氧化层 正向导通电压 金属硅化物 上金属电极 肖特基势垒 垂直结构 导电材料 封装工艺 沟槽结构 平面结构 外围区域 肖特基结 漏电流 器件层 肖特基 压应力 侧壁 打线 缓冲 去除 填充 封装 加压 制造 芯片 测试 金属 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基器件结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：1)于N型外延层上形成多个第一沟槽以及位于所述多个第一沟槽外围区域的第二沟槽；2)于所述第一沟槽及第二沟槽表面形成氧化层，并于所述第一沟槽及第二沟槽内填充多晶硅；3)去除所述第一沟槽内的部分多晶硅及氧化层，形成第三沟槽，保留所述第二沟槽内的多晶硅及氧化层；4)于所述第三沟槽的底部及侧壁形成肖特基金属层，并退火形成金属硅化物；5)于所述第三沟槽内填充导电材料；6)制作上金属电极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中航（重庆）微电子有限公司，未经中航（重庆）微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710422963.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
