[发明专利]铜‑铁普鲁士蓝纳米材料修饰电极、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201710423635.6 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107328841A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 单丹;田晓旸;张光耀;宗丽萍 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/42 | 分类号： | G01N27/42 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 邹伟红,朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜‑铁普鲁士蓝纳米材料修饰电极、制备方法及其应用。所述修饰电极是以ITO玻璃电极为基底，所述基底表面依次沉积Cu纳米粒子和CuHCF纳米粒子；采用循环伏安法，在‑0.3~1.2 V，10 mV/s条件下，检测所述修饰电极对卡托普利的电化学响应，在0.65 vs.SCE左右有一对稳定的氧化还原峰；并对卡托普利有明显的催化氧化效果。本发明所述电极制备工艺简单、方便，对卡托普利的检测具有灵敏度高、线性范围大、稳定性和重复性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 普鲁士 纳米 材料 修饰 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米材料铜‑铁普鲁士蓝纳米材料修饰电极，所述修饰电极是以ITO玻璃电极为基底，其特征在于，所述基底表面依次沉积Cu纳米粒子和CuHCF纳米粒子。
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