[发明专利]一种用于功率MOSFET器件的变掺杂半导体材料片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710425211.3 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107221559B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 唐昭焕;肖添;杨永晖;谭开洲 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于功率MOSFET器件的变掺杂半导体材料片及其制造方法，其特征在于：包括第一导电类型高掺杂衬底、第一导电类型低掺杂第一外延层、第一导电类型中掺杂层和第一导电类型低掺杂第二外延层。所述第一导电类型中掺杂层位于第一导电类型低掺杂第二外延层与第一导电类型低掺杂第一外延层之间。所述第一导电类型中掺杂层部分嵌入第一导电类型低掺杂第一外延层与第一导电类型低掺杂第二外延层内。本发明不仅降低了寄生三极管集电区电阻，提高了功率MOSFET抗单粒子烧毁的能力，使用该材料制作的功率MOSFET常态参数基本保持不变，还可用于60V以上功率MOSFET的制造领域，具有应用范围宽、工艺实现简单、工艺重复性好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 功率 mosfet 器件 掺杂 半导体材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于功率MOSFET器件的变掺杂半导体材料片，其特征在于：包括第一导电类型高掺杂衬底(100)、第一导电类型低掺杂第一外延层(101)、第一导电类型中掺杂层(102)和第一导电类型低掺杂第二外延层(103)；所述第一导电类型低掺杂第一外延层(101)覆盖于第一导电类型高掺杂衬底(100)之上；所述第一导电类型低掺杂第二外延层(103)覆盖于第一导电类型低掺杂第一外延层(101)之上；所述第一导电类型中掺杂层(102)位于第一导电类型低掺杂第二外延层(103)与第一导电类型低掺杂第一外延层(101)之间；所述第一导电类型中掺杂层(102)部分嵌入第一导电类型低掺杂第一外延层(101)与第一导电类型低掺杂第二外延层(103)内。
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