[发明专利]一种压阻式金硅复合纳米梁谐振器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710425764.9 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107395151B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 于虹;赵蕴阳;张悦;葛海峰 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03H3/007 | 分类号： | H03H3/007;H03H9/02;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压阻式金硅复合纳米梁谐振器及其制作方法，所述谐振器包括一个双端固定的金硅复合纳米梁、匹配电阻(7)、将金硅复合纳米梁上的压阻区和匹配电阻引出的第一铝电极(8)、第二铝电极(9)、第三铝电极(10)、与金硅复合纳米梁顶部金层相连的金电极(11)、与衬底相连的第四铝电极(12)；其层状结构为：在衬底(1)上的两边分别设有氧化牺牲层(2)，在氧化牺牲层(2)上设有单晶硅(3)，在单晶硅(3)中的一边设有压阻区(4)，在单晶硅(3)和压阻区(4)的上部设有氮化硅绝缘层(5)，在氮化硅绝缘层(5)上设有金层(6)。本发明制作工艺简单，在制作小尺寸梁的基础上尽量降低了成本；激励和检测方法简单，不需要复杂的设备，检测和激励间的耦合小；有效增强了压阻效应，降低了检测难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压阻式金硅 复合 纳米 谐振器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种压阻式金硅复合纳米梁谐振器，其特征在于，所述谐振器包括一个双端固定的金硅复合纳米梁、匹配电阻(7)、将金硅复合纳米梁上的压阻区和匹配电阻引出的第一铝电极(8)、第二铝电极(9)、第三铝电极(10)、与金硅复合纳米梁顶部金层相连的金电极(11)、与衬底相连的第四铝电极(12)；其层状结构为：在衬底(1)上的两边分别设有氧化牺牲层(2)，在氧化牺牲层(2)上设有单晶硅(3)，在单晶硅(3)中的一边设有压阻区(4)，在单晶硅(3)和压阻区(4)的上部设有氮化硅绝缘层(5)，在氮化硅绝缘层(5)上设有金层(6)。
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