[发明专利]一种单管单电容存储单元装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单管单电容存储单元装置，包括晶体管和电容结构，所述电容结构的上电极与所述晶体管的漏极通过引线连接。本发明单管单电容存储单元装置采用β‑Ga2O3作为沟道材料，一种热稳定性和化学稳定性都良好的宽禁带半导体材料，且预期具有非常好的抗辐射性能，可以加固沟道部位的抗辐射能力。同时，本发明还公开了一种所述单管单电容存储单元装置的制备方法及包含所述单管单电容存储单元装置的存储器。

主权项

一种单管单电容存储单元装置，其特征在于，包括晶体管和电容结构，所述晶体管包括：衬底；在所述衬底上至少两个局部区域分别独自形成的隔离层；在所述衬底上位于相邻的两个隔离层之间的沟道层；在所述沟道层上形成的源极和漏极，所述源极和所述漏极对称位于所述沟道层上的两侧；在所述沟道层上且位于所述源极和所述漏极之间的晶体管介质层；在所述晶体管介质层上形成的栅电极；包覆所述晶体管介质层和栅电极的第一晶体管保护层；所述电容结构包括：在所述隔离层上形成的第二晶体管保护层；在所述第二晶体管保护层上形成的下电极；在所述下电极上局部区域形成的电容介质层；在所述电容介质层上形成的上电极；在所述上电极上形成且覆盖整个电容结构的电容保护层；所述电容结构的上电极与所述晶体管的漏极通过引线连接。