[发明专利]门阵列标准单元库、芯片设计系统及设计方法在审

专利信息
申请号: 201710426903.X 申请日: 2017-06-08
公开(公告)号: CN109033481A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 杨洋 申请(专利权)人: 华大半导体有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海专尚知识产权代理事务所(普通合伙) 31305 代理人: 张政权;周承泽
地址: 201203 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种门阵列标准单元库,其特征在于,所述门阵列标准单元库包括:多个门阵列标准单元;每个所述门阵列标准单元包括至少一对pmos晶体管和nmos晶体管,以及至少一金属层;在不同的所述门阵列标准单元之间,所述pmos晶体管的有源区相互独立,所述nmos晶体管的有源区相互独立;多个所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的不同连接,形成不同的功能单元;或/和,一个所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的不同连接,形成不同的功能单元;所述功能单元用于替换一版图中的门阵列备用单元。本发明的门阵列备用标准单元,可以仅修改金属层的连接方式,就能变换成任意功能单元,不受布局位置的限制。可以对时序有准确的控制。
搜索关键词: 门阵列 标准单元 功能单元 标准单元库 备用单元 多层金属层 金属层 源区 布局位置 连接方式 芯片设计 时序 备用 替换
【主权项】:
1.一种门阵列标准单元库,其特征在于,所述门阵列标准单元库包括:多个门阵列标准单元;每个所述门阵列标准单元包括至少一对pmos晶体管和nmos晶体管,以及至少一金属层;在不同的所述门阵列标准单元之间,所述pmos晶体管的有源区相互独立,所述nmos晶体管的有源区相互独立;多个所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的不同连接,形成不同的功能单元;或/和,一个所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的不同连接,形成不同的功能单元;所述功能单元用于替换一版图中的门阵列备用单元。
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