[发明专利]氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法有效
| 申请号： | 201710427638.7 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107507774B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 中西敏雄;片山大介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种即使是通过低温下的CVD形成的氮化硅膜也能够使其改质成为所期望的特性的氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法。一种在基板上通过等离子体CVD形成的氮化硅膜的处理方法，对氮化硅膜照射微波氢等离子体，利用微波等离子体中的原子氢将氮化硅膜的表面部分的氢去除来使该部分改质。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 处理 方法 以及 形成 | ||
【主权项】：
一种氮化硅膜的处理方法，其中，该氮化硅膜是在基板上通过等离子体化学气相沉积而形成的膜，该氮化硅膜的处理方法的特征在于，对所述氮化硅膜照射微波氢等离子体，利用所述微波氢等离子体中的原子氢将所述氮化硅膜的表面部分的氢去除来使该表面部分改质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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