[发明专利]一种锡酸镉基透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池有效
申请号: | 201710427759.1 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN109037390B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 周洁;吴历清;吴选之 | 申请(专利权)人: | 龙焱能源科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请提供了一种锡酸镉基透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池。本申请的生产工艺中先将靶材在含氧气体环境中进行磁控溅射,再复合过渡膜层,之后在保护性气氛下进行退火。按照本发明的制备方法无需进行紧贴退火方式,直接在保护气氛下退火即可,大大简化了退火工艺,能够实现工业化大规模生产。本发明还提供了一种锡酸镉基透明导电膜及包含该锡酸镉基透明导电膜的太阳能电池,相比于现有商业化TCO膜,本发明提供的锡酸镉基透明导电膜的电学和光学性能明显提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 锡酸镉基 透明 导电 生产工艺 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种锡酸镉基透明导电膜的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:a)将靶材在含氧气体环境中进行磁控溅射,得到前体CTO基膜;所述靶材为由SnO2与CdO组成的靶材,或为Sn‑Cd合金靶材;b)在所述前体CTO基膜表面复合过渡膜层,再在保护性气氛下进行退火,得到锡酸镉基透明导电膜;所述过渡膜层为CdS膜层和/或金属膜层;所述金属膜层为Ni膜层、Al膜层、Au膜层、Ag膜层或Cu膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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