[发明专利]一种暴露高能(001)晶面超薄CdS纳米带的制备方法有效
| 申请号： | 201710428143.6 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107098377B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 赵才贤;陈烽;张立群;詹夏;易兰花;罗和安 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y40/00;B01J27/04;C01B3/04 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张宇江 |
| 地址： | 411105 湖南省湘潭市雨*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带的制备方法，制备过程如下：(1)将无机镉盐，去离子水，二亚乙基三胺和硫粉混均，在搅拌下进行溶剂热反应；得溶剂热产物；(2)将溶剂热产物分散于去离子水中，超声剥离，制得暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带。本发明具有如下技术效果：1.制备出CdS纳米带主要暴露(001)高能晶面，具有电子定向传输且传输速率快、特殊的光学性能等特点；2.CdS纳米带厚度很薄，可增大了比表面积，大大缩短了光生电荷传输到催化剂表面的迁移距离，有效抑制了光生电子和空穴对发生体相复合几率；3.在波长大于420nm可见光辐照下，并不负载任何助催化剂的情况下，CdS纳米带的产氢效率高达59.7mmol/h/g催化剂，并且光照50h，催化活性无明显降低；4.本发明具有操作简单、反应温度低、重复性好等优点。 1 | ||
| 搜索关键词： | 纳米带 制备 暴露 溶剂热 晶面 二亚乙基三胺 空穴 催化剂表面 可见光辐照 溶剂热反应 产氢效率 超声剥离 催化活性 定向传输 复合几率 光生电荷 光生电子 光学性能 技术效果 迁移距离 去离子水 无机镉盐 有效抑制 制备过程 助催化剂 传输 发生体 波长 混均 硫粉 水中 催化剂 离子 光照 | ||
【主权项】：
1.一种暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带的制备方法，其特征在于：制备过程如下：(1)将无机镉盐，去离子水，二亚乙基三胺和硫粉混均，所述无机镉盐与二亚乙基三胺物质的量之比为1：100～600，去离子水与二亚乙基三胺物质的量之比为1：200～1000，硫粉与二亚乙基三胺物质的量之比为1：30～200；在搅拌下进行溶剂热反应；得溶剂热产物；(2)将溶剂热产物分散于去离子水中，超声剥离，制得暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带。
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