[发明专利]一种传感器芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710428834.6 申请日: 2017-06-08
公开(公告)号: CN107389616B 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 张鹏;韩守鹏;韦天新;孟祥尧;吴小兵;张炜;许杰;杨振宇;李卉;王洋 申请(专利权)人: 中国人民解放军92232部队;北京理工大学
主分类号: G01N21/55 分类号: G01N21/55
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 杨志兵;仇蕾安
地址: 100161 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种传感器芯片及其制备方法,属于表面等离子体共振传感器芯片设计制备技术领域。所述芯片是由玻璃基片、金属膜、自组装膜以及金属氧化物与聚合物的复合薄膜由下至上依次排列而成的复合结构,采用聚合物包埋的方法将纳米金属氧化物成功的固定在传感器芯片表面,有效的提高了对目标气体的检测范围和灵敏度。本发明所述的方法简单,而且所制备的传感器芯片对二氧化硫具有很好的灵敏度且满足在常温条件下进行检测的要求,在5ppm~40ppm内具有良好的响应信号。
搜索关键词: 一种 传感器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种传感器芯片,其特征在于:所述芯片是由玻璃基片(1)、金属膜(2)、自组装膜(3)以及金属氧化物与聚合物的复合薄膜(4)由下至上依次排列而成的复合结构;所述金属膜(2)包括铝膜、银膜或金膜;制备所述自组装膜(3)的自组装液为巯基丙烯酸、巯基乙胺或硫醇;其中,硫醇的化学式为HS(CH2)nCH3,n=5~18;所述金属氧化物与聚合物的复合薄膜(4)中,金属氧化物是颗粒粒径为5nm~10nm的二氧化钛、三氧化二铁、氧化铝、氧化镍或氧化锡;聚合物为聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸羟乙酯或聚丙烯酰胺。
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