[发明专利]一种促进铝胁迫下东方百合根系生长的方法在审
申请号: | 201710428914.1 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107047044A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 刘国娟;王闯;徐宁;刘敏;孙晓慧 | 申请(专利权)人: | 聊城职业技术学院 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 252000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种促进铝胁迫下东方百合根系生长的方法,属于花卉生产与管理技术领域,具体步骤如下将东方百合种球置于温度为2℃的条件下进行低温处理,将处理后的东方百合种球栽于营养钵中;将营养钵置于人工气候箱中培养,设置人工气候箱中的光、暗周期为14h/10h,光照强度为10000lx,昼夜温度为25℃/16℃,相对湿度为70%,即得幼苗;将幼苗放置在pH为4.5、Al3+为100umol/L的营养液中进行5~15天的胁迫,期间每隔2天用浓度介于2~8mg/L的吲哚乙酸对铝胁迫下的幼苗进行喷施处理,喷施量为1~3mL。本发明中促进铝胁迫下东方百合根系生长的方法为培育耐铝的百合新品种奠定了基础,因此,本发明中的方法适合在花卉生产与管理领域推广和应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 促进 胁迫 东方 百合 根系 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种促进铝胁迫下东方百合根系生长的方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)将东方百合种球置于温度为2℃的条件下进行低温处理,将低温处理后的东方百合种球栽于营养钵中;(2)将栽有东方百合种球的营养钵置于人工气候箱中培养,并设置人工气候箱中的光、暗周期为14h/10h,光照强度为10000lx,昼夜温度为25℃/16℃,相对湿度为70%,即得幼苗;(3)将步骤(2)中所得的幼苗放置在pH为4.5、Al3+为100umol/L的营养液中进行5~15天的胁迫,期间每隔2天用浓度介于2~8mg/L的吲哚乙酸对铝胁迫下的幼苗进行喷施处理,采用叶面喷施的方法对幼苗进行喷施,喷施量为1~3mL。
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