[发明专利]低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6)，其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有SiN钝化层(7)和BN钝化层(8)，该两层钝化层的中部刻蚀有开孔，开孔中引出半浮空栅电极(9)。本发明通过采用低介电常数、低电容材料BN与SiN组成复合钝化层，较传统钝化技术相比，减小了栅漏寄生电容和栅源寄生电容，降低了器件的频率损耗，可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。

主权项

1.一种低频率损耗GaN基微波功率器件的制作方法，包括如下步骤：1)获取含有衬底、成核层、缓冲层、势垒层的外延基片，并对基片进行清洗；2)采用感应耦合等离子体ICP设备，在势垒层上进行台面刻蚀，实现有源区域隔离；3)在台面刻蚀后的势垒层上涂抹光刻胶并光刻出源电极和漏电极图形，再采用电子束蒸发工艺，在源电极和漏电极图形区蒸发欧姆接触金属；4)在源、漏电极外的势垒层区域利用等离子增强化学气相沉积PECVD淀积SiN薄膜，形成SiN钝化层；5)利用ICP设备，刻蚀SiN钝化层，对其进行减薄；6)在铜箔上生长BN薄膜，并将BN薄膜转移至SiN钝化层表面，产生复合钝化层；7)在复合钝化层涂抹光刻胶并光刻出栅电极图形，利用ICP设备干法刻蚀去除栅下方的钝化层，产生槽栅；8)采用电子束蒸发工艺，在槽栅内蒸发栅电极金属层，去除光刻胶，完成器件的制作。