[发明专利]基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法

摘要

一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法。本发明通过在重掺杂半导体中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率等载流子电输运性能。在此基础上,通过改变温度、光触发等外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而实现在不改变材料组分的前提下通过外界条件调节重掺杂半导体电传输性能的目的。本发明所述材料的载流子浓度随温度从20开尔文升高到室温或在低温光照触发下显著增加近两个数量级，而迁移率降低，可进一步应用于制备电子器件导电通道层、光电材料半导体节、热电材料与器件等方面，满足相应器件设计中电极、通道层等的电传输性能与温度、光照等变化关系要求。

主权项

一种基于晶格偶极子与载流子相互作用调节电传输性能的方法，其特征在于，通过在重掺杂半导体材料中引入晶格偶极子，利用偶极子与重掺杂半导体材料中的载流子的相互作用控制材料电导率、载流子浓度、载流子迁移率载流子电输运性能；在此基础上,通过改变温度、光触发外加条件对载流子与偶极子的库伦作用程度，从而在不改变材料组分的前提下通过外界条件实现对重掺杂半导体材料电传输性能的调节；所述重掺杂半导体材料具有两个特点：1)在使用条件下具有电荷非中心对称晶体结构；2)通过元素掺杂方法使材料具有一定的电子或空穴载流子,载流子浓度在室温下大于等于1019cm‑3。