[发明专利]一种Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201710430686.1 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107226700A | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 杨治华;贾德昌;蔡德龙;贾学勇;孙扬善;周玉 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/5833;C04B35/645 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司11340 | 代理人: | 范光晔 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料及其制备方法,属于氮化硅基陶瓷复合材料的技术领域。本发明是要解决现有氮化硅基陶瓷材料生产过程中烧结温度过高、烧结压力过大、机械加工性能差导致成本高、效率低的技术问题。本发明的Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料是由MgO粉末、Al2O3粉末、非晶SiO2粉末、α‑Si3N4粉末和六方BN粉末制成的。制备方法步骤一、以质量分数计,将1.0%~1.5%的MgO粉末、3.2%~3.8%的Al2O3粉末、5.0%~5.5%的SiO2粉末、0.01%~50%的BN粉末和余量的α‑Si3N4粉末混合、加入介质,球磨;步骤二、然后烘干后研碎,过筛;步骤三、再装入模具内,预压成型;步骤四、再在惰性气体保护下烧结,得到Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料。本发明应用于Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料的制备领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 si3n4 bn mas 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料,其特征在于Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料按照质量分数是由1.0~1.5%的MgO粉末、3.2~3.8%的Al2O3粉末、5.0~5.5%的SiO2粉末、0.01~50%的BN粉末和余量的α‑Si3N4粉末制成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710430686.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法
- 表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法
- 一种多孔Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>基体表面覆涂h-BN涂层的方法
- 一种表面改性纳米Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉体及其用途
- 低泄漏GaN MOSFET
- Ni金属膜覆盖Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>衬底生长浓度可控石墨烯材料的方法
- 具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管
- 一种Si3N4基复合陶瓷及其制备方法
- 一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法
- 纳米非晶原位合成氮化硅晶须