[发明专利]晶片到晶片接合结构有效
| 申请号： | 201710431549.X | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492538B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李镐珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 接合 结构 | ||
【主权项】：
一种晶片到晶片接合结构，包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕所述第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕所述第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，所述第二晶片在反转之后与所述第一晶片接合使得所述第二绝缘层被接合到所述第一绝缘层，并且所述第二导电焊垫的上表面的至少一部分被部分地或完全地接合到所述第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，其在所述第一晶片和所述第二晶片之间的在该处所述第一导电焊垫和所述第二导电焊垫没有彼此接合的部分中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710431549.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
