[发明专利]一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器及其制作方法

摘要

本发明公开一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器，包括单晶硅衬底；形成于单晶硅衬底上的应力层；形成于应力层上的异质结，异质结包括顺序设置的栅电极、第一石墨烯层、介电层、第二石墨烯层、与栅电极平行且等距的源电极和漏电极层结构；应力层使得异质结自组装为微管式三维结构；在上述结构上形成电流测量回路。本发明还公开一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器的制作方法。通过三维微管结构可以大幅度减小芯片的占用面积，提高单层石墨烯的光吸收率以及光利用率，大幅提高石墨烯光探测器的响应度。

主权项

1.一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器的制作方法，其特征在于，包括：制备单晶硅衬底(1)；在所述单晶硅衬底(1)上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成应力层(3)；在所述应力层(3)上制备栅电极(8)；在所述应力层(3)和栅电极(8)上形成第一石墨烯层(4)；在所述第一石墨烯层(4)上形成介电层(5)；在所述介电层(5)上形成第二石墨烯层(6)；在所述第二石墨烯层(6)上制备与所述栅电极(8)平行且等距的源电极(9)和漏电极(7)；所述第一石墨烯层(4)、介电层(5)、第二石墨烯层(6)、漏电极(7)、栅电极(8)和源电极(9)构成异质结；刻蚀所述牺牲层；所述应力层(3)使得所述异质结自组装为微管式三维结构；在上述结构上形成电流测量回路。