[发明专利]标准胞元布局及设置多个标准胞元的方法在审
| 申请号： | 201710432062.3 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492548A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 乌里奇·亨斯;麦克·利尔;纳特·珍;雷纳·曼恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及标准胞元布局及设置多个标准胞元的方法，提供一种集成电路产品，其包括多个标准胞元，该多个标准胞元的各标准胞元与该多个标准胞元的至少一个其它标准胞元毗连；跨该多个标准胞元连续延展的连续主动区；通过中间扩散间断来分开的至少两个主动区，其中，各标准胞元包含至少一个PMOS装置及至少一个NMOS装置，该至少一个PMOS装置设于该连续主动区中及上面，并且该至少一个NMOS装置设于该至少两个主动区中及上面。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 布局 设置 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路产品，其包含：多个标准胞元，该多个标准胞元的各标准胞元与该多个标准胞元的至少一个其它标准胞元毗连；跨该多个标准胞元连续延展的连续主动区；以及通过中间扩散间断来分开的至少两个主动区，其中，各标准胞元包含至少一个PMOS装置及至少一个NMOS装置，该至少一个PMOS装置设于该连续主动区中及上面，并且该至少一个NMOS装置设于该至少两个主动区中及上面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710432062.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件和通信电路
- 下一篇：晶体管及形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
