[发明专利]一种金刚石半导体反冲质子望远镜有效
申请号: | 201710432465.8 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107015262B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 吴宜灿;刘超;李雅男;李桃生;蒋洁琼 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | G01T1/16 | 分类号: | G01T1/16;G01T1/17;G01T1/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请公开一种金刚石半导体反冲质子望远镜,包括穿透型探测器和全耗尽探测器,其中,所述全耗尽探测器采用金刚石探测器,由于金刚石探测器具有抗辐照能力强的特点,在中子流强较高时,能够具有较好的抗辐照能力;而且对于中子能量较高时,产生的反冲质子能量较高,沉积在金刚石探测器后,能够与本底或其他粒子的能量分离开来,从而能够甄别出反冲质子,从而达到扣除本底的目的,本底扣除更加彻底,进而能够提高测量中子源强的精度。由于本发明提供的金刚石半导体反冲质子望远镜的抗辐照能力更强,可以避免使用屏蔽体对辐照进行屏蔽,从而相对于现有技术中抗辐照能力较差的反冲质子望远镜而言,本发明提供的反冲质子望远镜的结构更加简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚石 半导体 反冲 质子 望远镜 | ||
【主权项】:
1.一种金刚石半导体反冲质子望远镜,其特征在于,包括:真空腔室(5),所述真空腔室(5)的其中一个端面上设置有中子进入口;位于所述真空腔室(5)内,且沿所述真空腔室(5)设置有中子进入口的端面朝向所述真空腔室(5)内部的方向上依次设置的聚乙烯转换膜(2)、穿透型探测器(3)和全耗尽探测器(4);位于所述真空腔室(5)外侧的电子学(6),所述电子学(6)分别与所述穿透型探测器(3)、所述全耗尽探测器(4)相连;其中,所述全耗尽探测器(4)为金刚石探测器,所述穿透型探测器(3)与所述聚乙烯转换膜(2)的夹角为0°,所述金刚石探测器与所述聚乙烯转换膜(2)的夹角为0°,且所述金刚石探测器设置在0°方向以获取最大反冲质子能量;所述金刚石探测器的信号输入到所述电子学(6)的多道分析器中,通过脉冲幅度甄别技术设置阈值将中子和聚乙烯发生反冲的信号与中子和金刚石探测器发生反应的信号甄别开。
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