[发明专利]一种基于倒装封装的LED芯片结构有效
申请号: | 201710432825.4 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107293535B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 周伟;张先伟;吴梦尧 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/64;H01L33/00 |
代理公司: | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种基于倒装封装的LED芯片结构,属于光电子器件技术领域。该LED芯片结构中的N型电极由薄长方体结构和贯穿反射层5、P型氮化物层4和发光层3连接到N型氮化物层2的折线长条形结构组成,该N型电极穿插于芯片内部,使LED芯片的局部大电流被折线长条形N型电极均匀分散,解决了电流集边效应的问题,同时被折线长条形分散的电流,在局部发热也随之减少;另外,本申请LED芯片产生的热量,可通过折线形N型金属电极和隔离沟道内的绝缘陶瓷传输到外界,增加了散热途径,减小了散热热阻,有效提高了LED芯片的散热效率,使LED芯片结温比传统倒装结构降低了8.2℃,提高了LED芯片的性能和使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 倒装 封装 led 芯片 结构 | ||
【主权项】:
1.一种基于倒装封装的LED芯片结构,包括多个微晶粒单元,每个微晶粒单元包括衬底(1),衬底(1)上依次生长的N型氮化物层(2)、发光层(3)、P型氮化物层(4)、反射层(5),P型电极(10),N型电极(9)和钝化层(8),所述各微晶粒单元之间通过基板(12)上的金属连线进行串或/和并联连接;所述N型电极(9)由位于基板(12)之上的长方体结构和贯穿反射层(5)、P型氮化物层(4)和发光层(3)连接到N型氮化物层(2)的折线长条形结构组成,当俯视所述N型电极时为折线长条形结构,当剖视所述N型电极时为梳状结构;所述N型电极(9)通过钝化层(8)与反射层(5)、P型氮化物层(4)、发光层(3)和P型电极(10)进行电气隔离,所述N型电极(9)与N型氮化物层(2)连接,P型电极(10)通过反射层(5)与P型氮化物层(4)连接。/n
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