[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种半导体装置和制造半导体装置的方法。本发明的目的是为了提供具有提高的灵敏度并且同时导致较少暗电流、噪声等的固态图像传感器。在具有由N型半导体基底和其上的P型外延层组成的基底的固态图像传感器中，在隔离区中形成穿透所述外延层的沟槽，所述隔离区在其中具有像素阵列的像素区和在像素区周围的外围电路区之间；以及形成由绝缘膜组成的DTI结构，所述沟槽被填充有所述绝缘膜。从而防止在所述像素区和所述外围电路区之间的基底中的电子转移。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置具有固态图像传感器，所述固态图像传感器配备有包括光电二极管的像素，所述半导体装置包括：N导电类型的半导体基底，所述半导体基底具有主表面；半导体层，所述半导体层形成在所述半导体基底上方并且具有P导电类型；在第一区域中形成在所述半导体层的上表面的多个所述光电二极管；晶体管，所述晶体管在平面视图中围绕所述第一区域的第二区域中形成在所述半导体层的上方；元件隔离区，所述元件隔离区掩埋在第一沟槽中，所述第一沟槽在所述光电二极管之间形成在所述半导体层的所述上表面中；以及包括第一绝缘膜的隔离部，所述隔离部形成在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域中的所述半导体层中并且形成在比所述第一沟槽深的第二沟槽中。