[发明专利]一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置在审
| 申请号： | 201710433920.6 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107456656A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 李江涛;曹辉;赵政;郑敏军;蔡旭明;孙义;任子媛;何家欣;刘宇豪;顾悦 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | A61N2/04 | 分类号： | A61N2/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置，包括控制电路、充电电路、若干线圈及若干放电电路，其中，一个线圈对应一个放电电路，各个线圈均包括第一导线及第二导线，第一导线与第二导线紧贴缠绕在线圈骨架上，且第一导线与第二导线的缠绕方向相反，该装置能够减少驱动电路中的开关器件数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 导线 阵列 通道 经颅磁 刺激 装置 | ||
【主权项】：
一种基于直导线阵列的多通道经颅磁刺激装置，其特征在于，包括控制电路、充电电路、若干线圈及若干放电电路，其中，一个线圈对应一个放电电路，各线圈均包括线圈骨架、第一导线(L11)及第二导线(L12)，第一导线(L11)及第二导线(L12)缠绕在线圈骨架上，且第一导线(L11)与第二导线(L12)的缠绕方向相反；充电电路经高压二极管(D1)与IGBT芯片(V1)的漏极相连接，IGBT芯片(V1)的源极与主电容(C1)的一端、第一放电晶闸管(SCR11)的阳极、第二放电晶闸管(SCR13)的阳极、第一续流晶闸管(SCR12)的阴极及第二续流晶闸管(SCR14)的阴极相连接，第一导线(L11)的一端与第一放电晶闸管(SCR11)的阴极及第一续流晶闸管(SCR12的阳极相连接，第二导线(L12)的一端与第二放电晶闸管(SCR13)的阴极及第二续流晶闸管(SCR14)的阳极相连接，第一导线(L11)的另一端、第二导线(L12)的另一端及主电容(C1)的另一端均接地；控制电路的输出端与IGBT芯片(V1)的栅极、第一放电晶闸管(SCR11)的控制端、第二放电晶闸管(SCR13)的控制端、第一续流晶闸管(SCR12)的控制端及第二续流晶闸管(SCR14)的控制端相连接。
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