[发明专利]一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；在进行牺牲层的结构释放时，直接将像元结构放到去胶机中，由于参考像元的尺寸大，当有效像元的牺牲层释放完全时，参考像元的牺牲层还有部分未释放，不需要对参考像元与有效像元隔离开，能够简化工艺；另外，牺牲层采用非晶碳，能够保证参考像元与制作有效像元的工艺兼容，且能够增加参考像元结构的热导。

主权项

1.一种微测辐射热计的像元结构，其特征在于，所述像元结构包括若干个呈矩阵排列的有效像元和若干个呈矩阵排列的参考像元，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；所述参考像元包括参考像元半导体基座和与所述参考像元半导体基座电连接的参考像元本体，所述参考像元本体包括金属反射层、绝缘介质层、牺牲层、支撑层、电极层、保护层和热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述牺牲层采用非晶碳；所述参考像元半导体基座上设有金属反射层和绝缘介质层，所述金属反射层包括若干个金属块；所述绝缘介质层和支撑层之间形成谐振腔，所述谐振腔内设有所述牺牲层，所述牺牲层的厚度与所述谐振腔的高度一致，所述牺牲层的体积占所述谐振腔的1/3～1/2；所述支撑层上设有锚点孔和通孔，所述通孔终止于所述金属块，在所述支撑层上依次设有电极层、第一保护层、热敏层和第二保护层，所述电极层上设有第一保护层，所述第一保护层上设有接触孔，所述接触孔下端终止于所述电极层，所述第一保护层上和接触孔内设有热敏层，所述电极层包括设置在桥腿区域的电极连线和设置在桥面区域的电极块，所述热敏层与所述电极块连接，所述热敏层上设有第二保护层；或者在所述支撑层上依次设有热敏层、第一保护层、电极层和第二保护层，所述热敏层上设有第一保护层，所述第一保护层上设有接触孔，所述接触孔下端终止于所述电极层，所述第一保护层上和接触孔内设有电极层，所述电极层包括设置在桥腿区域的电极连线和设置在桥面区域的电极块，所述热敏层与所述电极块连接，所述电极层上设有第二保护层。