[发明专利]用于采集处理激光信号的探测装置、像素单元及阵列有效
申请号: | 201710435596.1 | 申请日: | 2017-06-11 |
公开(公告)号: | CN107247269B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 雷述宇 | 申请(专利权)人: | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G01S17/08 | 分类号: | G01S17/08;G01S7/48 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 王少文 |
地址: | 315500 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为解决现有激光雷达测距系统测量不够精准、扫描速度缓慢、图像空间分辨率低问题,本发明提供了一种用于采集处理激光信号的探测装置、像素单元及阵列。每个像素单元包括光电二极管和与光电二极管负极端相连并集成于一体的采样电路;像素单元阵列中的每个像素单元均对应有完整的读出电路,工作时,每个像素单元同时进行数据转化,相对于传统单点探测的方式,极大地提高了激光测距系统的扫描速度;像素单元阵列的每个光电二极管经过镜头对应不同的空间视场角,图像空间分辨率高。 | ||
搜索关键词: | 用于 采集 处理 激光 信号 探测 装置 像素 单元 阵列 | ||
【主权项】:
用于采集激光信号的像素单元,其特征在于:包括光电二极管和与光电二极管负极端相连并集成于一体的采样电路;所述采样电路包括NMOS管NM7、开关S1、S2、S3、S4、S5、S6、电容C1、C2;开关S1~S4均由一个NMOS管和一个PMOS管对接构成,开关S5~S6均由一个PMOS管构成;开关S1~S4的NMOS管分别记为NM1、NM2、NM3和NM4,开关S1~S4的PMOS管分别记为PM1、PM2、PM3和PM4,开关S5~S6的PMOS管分别记为PM5和PM6;NM7的栅极接箝位电压Vb,NM7的源极接光电二极管的负极端,NM7的漏极同时与NM1、NM2的漏极以及PM1、PM2的漏极相连;NM1和PM1的源极同时接电容C1的一端,NM2和PM2的源极同时接电容C2的一端;电容C1和电容C2的另一端分别接地;NM1和PM1的源极还同时接PM5、PM3和NM3的漏极;PM5的源极接复位电源Vdd;PM5的栅极接复位电压Vrst;PM3和NM3的源极相接作为采样电路的其中一个输出端Vout1;NM2和PM2的源极还同时接PM6、PM4和NM4的漏极;PM6的源极接复位电源Vdd;PM6的栅极接复位电压Vrst;PM4和NM4的源极相接作为采样电路的另一个输出端Vout2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波飞芯电子科技有限公司,未经宁波飞芯电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710435596.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。