[发明专利]一种埋栅硅钙钛矿太阳电池及其制备方法

摘要

本发明一种电极埋栅式薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种将栅状电极直接接入电子传输层内部的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。本发明采用电极埋栅结构减少了太阳电池的栅状电极的宽度的同时将电极直接接入到电子传输层的内部，增大其与电子传输层的接触面积，有效的提高了电子收集能力，另一方面大大增加了太阳光照射到电池的面积，提高了现在薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的光电转化效率。

主权项

1.一种埋栅硅钙钛矿太阳电池，其特征在于：是一种将栅状电极埋入至电子传输层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密氧化锌构成的电子传输层和埋栅电极构成，其组成顺序方式是：P型薄膜晶硅层置于透明导电基底上面，电子空穴复合抑制结构层被制备在P型薄膜晶硅层上，钙钛矿光吸收层置于电子空穴复合抑制结构层的上面，并与P型薄膜晶硅层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密氧化锌构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，栅状电极置于由致密氧化锌构成的电子传输层内部，以上六个功能层依次叠加，构成此一种电极埋栅式薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。