[发明专利]一种太阳能电池用硅片及其镀膜工艺与镀膜设备

摘要

本发明公开了一种太阳能电池用硅片，其包括有硅片本体；所述硅片本体的端面之上依次设置有氧化硅膜层、第一氮化硅膜层、第二氮化硅膜层与第三氮化硅膜层；本申请中的太阳能电池用硅片及其镀膜工艺与镀膜设备，其可使得太阳能电池用硅片进行镀膜处理过程中的镀膜效果以及效率得以显著提高，并在上述镀膜工艺以及设备的基础上使得太阳能电池用硅片的膜层结构得以改善，进而使得太阳能电池用硅片的实际工作性能得以进一步的提高。

主权项

1.一种太阳能电池用硅片，其包括有硅片本体；其特征在于，所述硅片本体的端面之上依次设置有氧化硅膜层、第一氮化硅膜层、第二氮化硅膜层与第三氮化硅膜层；所述氧化硅膜层、第一氮化硅膜层、第二氮化硅膜层与第三氮化硅膜层的厚度依次递增；所述第一氮化硅膜层、第二氮化硅膜层与第三氮化硅膜层的折射率均大于氧化硅膜层的折射率，且第一氮化硅膜层的折射率至多为氧化硅膜层折射率的2倍，所述第二氮化硅膜层的折射率大于第一氮化硅膜层与第三氮化硅膜层的折射率；所述氧化硅膜层的厚度为1至3nm，折射率为1.3至1.6；所述第一氮化硅膜层的厚度为3至6nm，折射率为1.9至2.0；所述第二氮化硅膜层的厚度为15至30nm，折射率为2.1至2.3；第三氮化硅膜层的厚度为30至50nm，折射率为1.9至2.0；所述太阳能电池用硅片的镀膜工艺包括有如下工艺步骤：1）将太阳能电池用硅片置于石墨舟之中，并将石墨舟送入PECVD设备内；控制PECVD设备内温度为350至500℃，并以笑气流量为0.8至2L/min，硅烷流量为0.5至1.5L/min的工况在太阳能电池用硅片之上进行氧化硅膜层的镀膜处理；2）在步骤1）完成后，控制PECVD设备内温度为350至500℃，并以氨气流量为5至10L/min，硅烷流量为0.5至1.5L/min，工作压力为1.4至2.0Torr，射频功率为6至8kW的工况在氧化硅膜层之上进行第一氮化硅膜层的镀膜处理，第一氮化硅膜层的镀膜处理时间为20至80s；3）在步骤2）完成后，控制PECVD设备内温度为350至500℃，并以氨气流量为5至10L/min，硅烷流量为0.5至1.5L/min，工作压力为1.4至2.0Torr，射频功率为6至8kW的工况在氧化硅膜层之上进行第二氮化硅膜层的镀膜处理，第二氮化硅膜层的镀膜处理时间为80至150s；4）在步骤3）完成后，控制PECVD设备内温度为350至500℃，并以氨气流量为5至10L/min，硅烷流量为0.5至1.5L/min，工作压力为1.4至2.0Torr，射频功率为6至8kW的工况在氧化硅膜层之上进行第三氮化硅膜层的镀膜处理，第三氮化硅膜层的镀膜处理时间为400至600s；所述石墨舟包括有多个彼此平行的舟页，多个舟页之间通过陶瓷杆件进行连接；相邻两个舟页之间的间距经由石墨舟的中部向其两侧逐渐增加；每一个舟页之上均设置有多个用于固定太阳能电池用硅片的卡点，每一个卡点均经由舟页的端面向其外部进行延伸，任意一个卡点的表面均设置有SiC镀层。