[发明专利]具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器

摘要

本发明提供了一种具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器。该探测器衬底材料为InP，从衬底往上依次为：InP缓冲层、In_0.53Ga_0.47As集电区、In_0.53Ga_0.47As本征层、In_0.53Ga_0.47As基区、InP发射区、InP帽层、In_0.53Ga_0.47As欧姆接触层。集电极在In_0.53Ga_0.47As集电区台面上；基极和基区光窗口在In_0.53Ga_0.47As基区台面上；发射极在In_0.53Ga_0.47As欧姆接触层上。本发明的基区和集电区之间存在In_0.53Ga_0.47As本征层，在集电极偏置为2V时完全耗尽，大大增加了集电结耗尽层的厚度，使大部分进入探测器的入射光被集电结耗尽层吸收。在集电结耗尽层产生的光生电子‑空穴对被其中的强电场分离，从而产生光生电流。因此，本发明具有比无本征层探测器更高的量子效率和光生电流。

主权项

1.具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器，其特征在于包括：InP衬底；由衬底往上依次为：InP缓冲层，厚度为0.5μm，n型掺杂，掺杂浓度为1017cm‑3；In0.53Ga0.47As集电区，厚度为0.8μm，n型掺杂，掺杂浓度为1017～1018cm‑3；In0.53Ga0.47As本征层，厚度为1.5～2μm；In0.53Ga0.47As基区，厚度为0.05～0.1μm，p型掺杂，掺杂浓度为1018～1019cm‑3；InP发射区，厚度为0.05～0.1μm，n型掺杂，掺杂浓度为1017～1018cm‑3；InP帽层，厚度为1.5μm，n型掺杂，掺杂浓度为1019～1020cm‑3；In0.53Ga0.47As欧姆接触层，厚度为0.1μm，n型掺杂，掺杂浓度为1019～1020cm‑3。