[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201710436981.8 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107527986B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 冈村卓 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。发光二极管芯片的制造方法具有如下工序：晶片准备工序，准备如下晶片：晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或第1槽；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与晶片的各LED电路对应地形成多个第2槽；一体化工序，将透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；和分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在该晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或第1槽；透明基板加工工序，在透明基板的正面上与该晶片的各LED电路对应地形成多个第2槽；一体化工序，在实施了该晶片背面加工工序和该透明基板加工工序之后，将该透明基板的正面粘贴在该晶片的背面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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