[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710438574.0 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109037178B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 吴政璁;林鑫成;胡钰豪;林文新 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括一基底、一第一阱、一第一掺杂区、一第二阱、一第二掺杂区、一场氧化层、一第一导电层、一第一绝缘层以及一第二导电层。基底具有一第一导电型。第一阱形成在基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区形成在第一阱之中，并具有第二导电型。第二阱形成在基底之中，并具有第一导电型。第二掺杂区形成在第二阱之中，并具有第一导电型。场氧化层设于基底上，并位于第一与第二掺杂区之间。第一导电层重叠场氧化层。第一绝缘层重叠第一导电层。第二导电层重叠第一绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电型；一第一阱，形成在该基底之中，并具有一第二导电型；一第一掺杂区，形成在该第一阱之中，并具有该第二导电型；一第二阱，形成在该基底之中，并具有该第一导电型；一第二掺杂区，形成在该第二阱之中，并具有该第一导电型；一场氧化层，设于该基底上，并位于该第一与第二掺杂区之间；一第一导电层，重叠该场氧化层；一第一绝缘层，重叠该第一导电层；以及一第二导电层，重叠该第一绝缘层。
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