[发明专利]一种纳米晶/钙钛矿杂化材料的前驱体溶液有效

专利信息
申请号: 201710438683.2 申请日: 2017-06-12
公开(公告)号: CN107275488B 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 林红;韩建华;李建保 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 张文宝
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种纳米晶/钙钛矿杂化材料的前驱体溶液,其特征在于,以低浓度的纳米晶溶液作为配制钙钛矿溶液的溶剂,从而得到均匀混合的纳米晶/钙钛矿杂化材料的前驱体溶液。该溶液中纳米晶的浓度低于10mg/ml。所述前驱体溶液可以通过一步法制备出纳米晶/钙钛矿杂化薄膜,在热处理的过程中钙钛矿材料在纳米晶表面原位结晶,可以提高钙钛矿的结晶性,且不损害原材料的结构。基于此方法制备的杂化材料薄膜光学和光电性能都获得明显改善。本发明方法制备工艺简单,易于控制,并可推广至制备其他类型的杂化材料。
搜索关键词: 一种 纳米 钙钛矿杂化 材料 前驱 溶液
【主权项】:
1.一种纳米晶/钙钛矿杂化材料的前驱体溶液,其特征在于,所述前驱体溶液以低浓度纳米晶溶液作为配制前驱体溶液的溶剂,该溶液中纳米晶的浓度低于10mg/ml,所述前驱体溶液通过一步法制备出纳米晶/钙钛矿杂化薄膜;所述低浓度的纳米晶溶液是将包含纳米晶的溶液通过离心过程洗去杂质,然后通过超声波均匀分散于一种或多种极性溶剂的混合溶剂中,在高速离心机上通过离心后取其上清液从而获得低浓度均匀分散的纳米晶溶液;所述纳米晶是指禁带宽度在0.4‑2.3电子伏特范围内,粒径小于50nm的无机半导体纳米材料,所述无机半导体纳米材料包括硫化亚锡(SnS)和硫化银(Ag2S)。
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