[发明专利]一种硅基高效太阳能电池在审
| 申请号： | 201710439210.4 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107123697A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 吴波;秦崇德;周文远;方结彬 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 孔凡亮 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基高效太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括单晶硅P型电池、键合层和GaInP薄膜电池，所述GaInP薄膜电池通过键合层键合到单晶硅P型电池的正面；采用GaAs或Ge作为支撑衬底，通过MOCVD或MBE生长与GaAs晶格匹配的GaInP薄膜电池，键合到单晶硅P型电池上，剥离生长的GaInP薄膜电池，即得所述硅基高效太阳能电池。本发明通过点阵键合技术和隧道结技术可以实现多层电池的串联，从而通过提升电池开路电压来提升整个叠层电池的转换效率；且采用Si作为硅基电池的支撑基底大大提升了电池的机械性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种硅基高效太阳能电池，其特征在于，包括单晶硅P型电池、键合层(6)和GaInP薄膜电池，所述GaInP薄膜电池通过键合层(6)键合到单晶硅P型电池的正面；采用GaAs或Ge作为支撑基底，通过MOCVD或MBE生长与GaAs晶格匹配的GaInP薄膜电池，键合到单晶硅P型电池上，剥离生长的GaInP薄膜电池，即得所述硅基高效太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
