[发明专利]一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池的生产工艺有效
申请号: | 201710441834.X | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN107342331B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 王强 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 蔡晶晶 |
地址: | 226019 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池的生产工艺,步骤包括:制备平板式透明顶电极;透明顶电极表面制备若干条状透明导电凸棱,该凸棱与透明顶电极形成T型结构;第3步、在透明顶电极表面逐次淀积厚度均匀的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜,使P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜在凸棱对应区域向外凸起形成条状鼓包;在透明导电过渡薄膜表面淀积底电极,所述底电极与透明导电过渡薄膜的接触面形成若干与所述凸棱一一对应的弧形反射面。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 反射 薄膜 太阳电池 生产工艺 | ||
【主权项】:
1.一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池的生产工艺,其特征在于包括如下步骤:第1步、制备平板式透明顶电极;第2步、透明顶电极表面制备若干条状透明导电凸棱,该凸棱与透明顶电极形成T型结构;所述凸棱的高宽比为1:3~1:2,凸棱之间互相平行,凸棱的间距范围为:1‑2um,高度范围为:100‑300nm;第3步、在透明顶电极表面逐次淀积厚度均匀的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜,使P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜在凸棱对应区域向外凸起形成条状鼓包;第4步、在透明导电过渡薄膜表面淀积底电极,所述底电极与透明导电过渡薄膜的接触面形成若干与所述凸棱一一对应的弧形反射面。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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