[发明专利]一种III‑V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法有效
| 申请号： | 201710442213.3 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107287656B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 唐江;刘婧;牛广达;王冲 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B19/00;C09K11/74;C09K11/72 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 许恒恒,李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III‑V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，包括以下步骤(1)将III‑V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在III‑V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。本发明通过对关键III‑V族量子点异质外延生长界面配体的种类和结构等进行改进，能够有效解决III‑V族量子点无法与Pb、X卤族元素相键合的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 量子 诱导 生长 钙钛矿 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将III‑V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，并将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，所述非极性溶剂与所述极性溶剂两者互不相溶；接着，将所述量子点溶液与所述无机配体分散液混合搅拌进行配体交换，然后静置使混合物分层，待所述量子点被交换至所述极性溶剂所在层中后，移除所述非极性溶剂所在层，余下的所述极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；所述无机配体在所述极性溶剂中的溶解度高于该无机配体在所述非极性溶剂中的溶解度；(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液，其中MA为甲胺根阳离子(CH3NH3)+，X为卤族元素；(3)将所述步骤(1)得到的所述第一前驱体溶液与所述步骤(2)得到的所述第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在所述III‑V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。
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