[发明专利]一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法在审
申请号: | 201710442771.X | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107275523A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 廖良生;王强;胡云;王照奎 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 曹毅 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法,该方法包括如下步骤(1)将ITO透明导电玻璃基片进行标准化清洗烘干后进行预处理;(2)将ITO转移至真空腔,进行空穴注入层和传输层蒸镀;(3)采用双源共蒸镀的方法,蒸镀形成纯无机的CsPbX3钙钛矿发光层薄膜;(4)使用红外热辐射装置,对CsPbX3钙钛矿膜热处理;(5)热蒸镀形成电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。本发明的制作工艺简单便捷,制备难度低,采用全真空蒸镀的方法制备器件,易于制作,重复性好,器件性能稳定;通过双源共蒸镀制备方法,提高了薄膜的平整性和均一性,并且便于更换主体和客体材料或者改变两者比例,实现发光峰位置的调控。 | ||
搜索关键词: | 一种 无机 钙钛矿 发光二极管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法,其特征在于该方法的制备步骤如下:第一步:将ITO透明导电玻璃基片进行标准化清洗烘干后进行预处理;第二步:将ITO转移至真空腔,进行空穴注入层和传输层蒸镀;第三步:采用双源共蒸镀的方法,蒸镀形成纯无机的CsPbX3钙钛矿发光层薄膜,所述X为碘、氯或溴;所述CsPbX3钙钛矿发光层薄膜所用的钙钛矿材料为PbX2和CsX,蒸镀速率为1 Å/s,PbX2与CsX的摩尔比为1:1.2,且放置位置为180°对角;第四步:使用红外热辐射装置,对CsPbX3钙钛矿膜热处理;第五步:热蒸镀形成电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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