[发明专利]一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710442771.X 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN107275523A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 廖良生;王强;胡云;王照奎 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司32200 代理人: 曹毅
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法,该方法包括如下步骤(1)将ITO透明导电玻璃基片进行标准化清洗烘干后进行预处理;(2)将ITO转移至真空腔,进行空穴注入层和传输层蒸镀;(3)采用双源共蒸镀的方法,蒸镀形成纯无机的CsPbX3钙钛矿发光层薄膜;(4)使用红外热辐射装置,对CsPbX3钙钛矿膜热处理;(5)热蒸镀形成电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。本发明的制作工艺简单便捷,制备难度低,采用全真空蒸镀的方法制备器件,易于制作,重复性好,器件性能稳定;通过双源共蒸镀制备方法,提高了薄膜的平整性和均一性,并且便于更换主体和客体材料或者改变两者比例,实现发光峰位置的调控。
搜索关键词: 一种 无机 钙钛矿 发光二极管 器件 制备 方法
【主权项】:
一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法,其特征在于该方法的制备步骤如下:第一步:将ITO透明导电玻璃基片进行标准化清洗烘干后进行预处理;第二步:将ITO转移至真空腔,进行空穴注入层和传输层蒸镀;第三步:采用双源共蒸镀的方法,蒸镀形成纯无机的CsPbX3钙钛矿发光层薄膜,所述X为碘、氯或溴;所述CsPbX3钙钛矿发光层薄膜所用的钙钛矿材料为PbX2和CsX,蒸镀速率为1 Å/s,PbX2与CsX的摩尔比为1:1.2,且放置位置为180°对角;第四步:使用红外热辐射装置,对CsPbX3钙钛矿膜热处理;第五步:热蒸镀形成电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。
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