[发明专利]用于信号放大器的二阶补偿带隙基准电路有效
| 申请号： | 201710443246.X | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107092297B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 赵翔;陈忠志;彭卓 | 申请（专利权）人： | 成都芯进电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于信号放大器的二阶补偿带隙基准电路，包括PMOS电流镜、VBG生成模块、正温度系数电压差生成模块、以及具有NPN三极管输入对的放大器，其中，正温度系数电压差生成模块包括两条NPN三极管串联支路，VBG生成模块和两条NPN三极管串联支路均与PMOS电流镜连接，放大器的两个输入端一一对应的连接于两条NPN三极管串联支路与PMOS电流镜之间的线路上，放大器设有为其内NPN三极管发射极镜像供电的NMOS电流镜，放大器的两个输入端为放大器中NPN三极管基极构成。本发明应用时能提供准确的电压和电流，并能实现全温度范围恒定的增益。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 信号 放大器 补偿 基准 电路 | ||
【主权项】：
1.用于信号放大器的二阶补偿带隙基准电路，其特征在于，包括PMOS电流镜、VBG生成模块、正温度系数电压差生成模块、以及具有NPN三极管输入对的放大器(A1)，所述正温度系数电压差生成模块包括两条NPN三极管串联支路，所述VBG生成模块和两条NPN三极管串联支路均与PMOS电流镜连接，所述放大器(A1)的两个输入端一一对应的连接于两条NPN三极管串联支路与PMOS电流镜之间的线路上，放大器(A1)设有为其内NPN三极管发射极镜像供电的NMOS电流镜，放大器(A1)的两个输入端为放大器(A1)中NPN三极管基极构成；正温度系数电压差生成模块，用于输出PTAT电流；PMOS电流镜，用于将PTAT电流与放大器(A1)两输入端的电流叠加的电流提供给NMOS电流镜和VBG生成模块；NMOS电流镜，用于接收PMOS电流镜提供的电流，并为放大器(A1)中NPN三极管发射极镜像供电；VBG生成模块，用于接收PMOS电流镜提供的电流，用于生成与温度无关的电压；所述PMOS电流镜包括第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)及第六PMOS管(MP6)，所述第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)及第六PMOS管(MP6)六者的栅极均与放大器(A1)的输出端连接，六者的源极均连接电源(VDD)，所述正温度系数电压差生成模块的两条NPN三极管串联支路分别与第一PMOS管(MP1)漏极、第二PMOS管(MP2)漏极连接，第三PMOS管(MP3)的漏极与放大器(A1)中的NMOS电流镜连接，第四PMOS管(MP4)的漏极悬空，第五PMOS管(MP5)的漏极与VBG生成模块连接，第六PMOS管(MP6)的漏极用于输出PTAT电流与放大器(A1)两输入端的电流叠加的电流。
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