[发明专利]具有电容器的集成电路及其制造方法

摘要

本发明涉及具有电容器的集成电路及其制造方法，所提供的是集成电路及其制造方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括附有主动层的衬底，该主动层上覆于埋置型绝缘体层，该埋置型绝缘体层进而上覆于处理层，其中，该主动层包括第一主动井。第一源极、第一漏极与第一沟道界定于该第一主动井内，其中，该第一沟道位在该第一源极与该第一漏极之间。第一栅极介电质直接上覆于该第一沟道，并且第一栅极直接上覆于该第一栅极介电质，其中，第一电容器包括该第一源极、该第一漏极、该第一沟道、该第一栅极介电质、及该第一栅极。第一处理井界定于直接在该第一沟道及该埋置型绝缘体层下方的该处理层内。

主权项

1.一种集成电路，包含：衬底，包含主动层，该主动层上覆于埋置型绝缘体层进而上覆于处理层，其中，该主动层包含第一主动井；第一源极，界定于该第一主动井内；第一漏极，界定于该第一主动井内；第一沟道，界定于该第一主动井内介于该第一源极与该第一漏极之间；第一栅极介电质，直接上覆于该第一沟道；第一栅极，直接上覆于该第一栅极介电质，其中，第一电容器包含该第一源极、该第一漏极、该第一沟道、该第一栅极介电质、及该第一栅极；第一处理井，界定于该处理层中，其中，该第一处理井直接在该第一沟道及该埋置型绝缘体层下方，其中，该第一电容器包含具第一拐折点的第一电容/电压曲线，其中，该第一电容/电压曲线在该第一拐折点具有第一拐折点电压及第一拐折点电容，其中，第一电容是在大于该第一拐折点电压的第一外施电压下所测得，以及其中，该第一电容大于该第一拐折点电容；第二电容器，其中，该第一电容器与该第二电容器以并联方式电连接，其中，该第二电容器包含具第二拐折点的第二电容/电压曲线，其中，该第二电容/电压曲线在该第二拐折点具有第二拐折点电压及第二拐折点电容，其中，第二电容是在大于该第二拐折点电压的第二外施电压下所测得，以及其中，该第二电容小于该第二拐折点电容；以及其中，该第一电容器与该第二电容器产生组合电容/电压曲线，以及其中，该第一处理井经组构以使背板偏压施加至该第一处理井以推移该第一拐折点，以使该组合电容/电压曲线的电容变化小于当没有施加电压至该第一处理井时。