[发明专利]一种在硬质合金上原位生长石墨烯传感器基质的方法有效
| 申请号： | 201710445413.4 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107365959B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 于翔;刘飞;任毅;张震 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 蒋常雪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硬质合金上原位生长石墨烯传感器基质的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金表面磁控溅射沉积非晶SiC薄膜，利用真空退火在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质。所述方法能够在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质，克服了传统传感器灵敏度低、寿命短，易衰减等缺陷，为空间钻探用石墨烯复合传感器提供了新的合成方法，为金属催化SiC合成石墨烯研究和应用提供了新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硬质合金 原位 生长 石墨 传感器 基质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硬质合金上原位生长石墨烯传感器基质的方法，其特征在于：所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金表面磁控溅射沉积非晶SiC薄膜，利用真空退火在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质；所述方法包括以下步骤：1）选择基材：选择含有Co的硬质合金作为基材；2）基材预处理：将基材在丙酮和无水乙醇溶液中分别用超声波清洗10 min，用氮气吹干后置于真空室中待沉积；3）沉积SiC：利用中频磁控溅射系统沉积SiC薄膜；4）退火处理：利用真空高温炉退火处理SiC镀膜硬质合金，退火温度为1000℃ ‑1150℃，退火处理时间为90分钟以上，达到退火时间后，硬质合金在真空环境中随炉冷却。
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