[发明专利]通过电流加热半导体器件的高温特性测试方法及装置

摘要

本发明涉及一种通过电流加热半导体器件的高温特性测试方法及装置，其在电源与待测试半导体器件电连接形成的回路导通时，待测试半导体器件内存在导通电流，从而能利用半导体器件自身的损耗加热半导体芯片，加热速度快；在加热过程中及时监测半导体器件的TSP参数，并利用TSP参数计算出待测半导体器件的结温，一旦结温足够接近测试目标温度T_j‑test时，利用高温特性测试系统能实现对待测试半导体器件的高温特性测试，测试耗时较小，效率高，非常适合大量样品的测试；测试精度很高；操作过程中不存在烫伤的可能性，提高测试的安全性。

主权项

1.一种通过电流加热半导体器件的高温特性测试方法，其特征是，所述高温特性测试方法包括如下步骤：步骤1、提供待测试的半导体器件、用于向半导体器件内注入加热电流的电源(9)、用于对待测试半导体器件进行结温测试的结温测试系统(8)以及用于测试半导体器件高温特性的高温特性测试系统(1)，所述半导体器件能与高温特性测试系统(1)、结温测试系统(8)以及电源(9)适配连接；步骤2、校准上述待测试半导体器件的温敏参数TSP与结温的关系曲线，并确定待测试半导体器件的测试目标温度T_j‑test；步骤3、控制电源(9)与待测试半导体器件电连接，以使得电源(9)向待测试半导体器件内输入电流；步骤4、在对半导体器件通电所需时间后，利用结温测试系统(8)测试所述半导体器件的温敏参数TSP，并利用测试得到的温敏参数TSP计算半导体器件当前的结温；步骤5、若上述结温测试系统测试得到半导体器件的结温与测试目标温度T_j‑test间的差值大于预设阈值时，重复上述步骤4，直至半导体器件的结温与测试目标温度T_j‑test间的差值与预设阈值匹配，并执行步骤6；步骤6、控制高温特性测试系统(1)与待测试半导体器件的电连接，以利用高温特性测试系统(1)测试半导体器件的高温特性。