[发明专利]一种化合物半导体的金属层及其制备方法有效
| 申请号： | 201710446635.8 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107275380B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体的金属层及其制备方法，是将第一金属层和绝缘层先后设于化合物半导体晶片之上，绝缘层于第一金属层上方设有开口，所述开口两侧向内倾斜45°到75°，TiW层覆盖所述开口的底部以及侧壁并延伸至周边所述绝缘层的顶面；第二金属层形成于TiW层上，填平所述开口并凸出于开口之上，其中凸出部分两侧向外倾斜75°至85°；Ti层覆盖所述TiW层的侧壁以及所述第二金属层表面，并于第二金属层顶面开有连接口；保护层覆盖所述Ti层以及绝缘层表面。通过上述结构的设置，使金属层的结构符合工艺要求，提高了连接的稳定性以及器件的可靠度，提高制程的良品率以及产品的使用寿命，有利于电镀工艺在金属层制作中的推广，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 金属 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体的金属层，其特征在于：包括第一金属层、绝缘层、TiW层、第二金属层、Ti层以及保护层；第一金属层和绝缘层先后设于化合物半导体晶片之上，绝缘层于第一金属层上方设有开口，所述开口两侧向内倾斜45°到75°，TiW层覆盖所述开口的底部以及侧壁并延伸至周边所述绝缘层的顶面；第二金属层形成于TiW层上，填平所述开口并凸出于开口之上，其中凸出部分两侧向外倾斜75°至85°；Ti层覆盖所述TiW层的侧壁以及所述第二金属层表面，并于第二金属层顶面开有连接口；保护层覆盖所述Ti层以及绝缘层表面。
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